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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDS6670A 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R

内部编号

3-FDS6670A

#1

数量:4125
5+¥5.132
25+¥4.226
100+¥2.728
250+¥2.678
500+¥2.626
最小起订量:5
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:4125
5+¥5.132
25+¥4.226
100+¥2.728
250+¥2.678
500+¥2.626
最小起订量:5
英国伦敦
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#3

数量:1300
5+¥6.631
25+¥6.517
100+¥6.3935
250+¥6.27
500+¥6.1465
最小起订量:5
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDS6670A产品详细规格

规格书 FDS6670A datasheet 规格书
FDS6670A datasheet 规格书
FDS6670A datasheet 规格书
文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 13A
Rds(最大)@ ID,VGS 8 mOhm @ 13A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 30nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2220pF @ 15V
功率 - 最大 1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
associated IRF8736PBF
EYGA121807A
EYGA091203SM
ICK SMD A 5 SA

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  • 苏州
  • 0512-67683728
    0512-67687578
    0512-67483580
    0512-67684200
    0512-68796728
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